澳洲幸运5开户（www.a55555.net）_国产芯片欲弯道超车：曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层

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2016年成立【li】的长江存储，于2017年通过「guo」自主研发和国际合作的方式，设计制造了首款3D NAND闪存。2019年，长江存储晶栈 Xtacking架构的第二《er》代3D TLC闪存量产，2020年，第三代TLC/QLC研「yan」发成功，推进（jin）到128层3D堆叠《die》。

在闪存领域，通常将堆叠层数视作技术先进「jin」程度的指{zhi}标。

DT报道称{cheng}，业内人士给出消息称，长江存储计划跳过192层，直接切入232层闪存（cun）生产。

这是什么概念？

根据此前韩国研“yan”究机构OERI的一份报告，其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年，理『li』由是三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存，长江存储『chu』则“ze”要到2024年，现在来「lai」看，它们低估了长江存储的技术储备。

另外，此前传〖chuan〗出长江存储有望打入苹果供应链，为iPhone等产品供货闪存的说法，倘若（ruo）最终实现，那么无疑将『jiang』有着打 da[破产业格局的动能（neng）。

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话题{ti}标签：闪存长“chang”江存储芯‘xin’片